|
articol de periodic |
1987 |
Revue Roumaine de Physique, 32-10 |
GĂISEANU, F. (autor)
|
Progresses related to the study of Boron diffusion in Silicon |
|
1067-1075 |
|
|
articol de periodic |
1987 |
Revue Roumaine de Physique, 32-3 |
GĂISEANU, F. (autor)
,
BĂDILĂ, M. (autor)
,
POSTOLACHE, C. (autor)
,
DIMA, I. (autor)
|
On the Sb redistribution in Si during post implantation annealing |
|
429-433 |
|
|
articol de periodic |
1989 |
Revue Roumaine de Physique, 34-4 |
GĂISEANU, F. (autor)
,
DIMA, I. (autor)
|
Diffusion coefficient of boron in silicon at high concentrations |
|
437-440 |
|
|
articol de periodic |
1990 |
Revue Roumaine de Physique, 35-3 |
GĂISEANU, F. (autor)
,
BAZU, M. (autor)
,
GĂLĂȚEANU, L. (autor)
|
Impurity redistribution during post-implantation laser annealing analytical evaluation |
|
283-288 |
|
|
articol de periodic |
1992 |
Romanian Journal of Physics, 37-5 |
GĂISEANU, F. (autor)
|
Advances in the modeling of the impurity diffusion in semiconductors |
|
509-520 |
|
|
articol de periodic |
1998 |
Romanian Journal of Physics, 43-7-8 |
GĂISEANU, F. (autor)
,
TSOUKALAS, D. (autor)
,
LONDOS, C. (autor)
,
STOEMENOS, J. (autor)
,
DIMITRIADIS, C. (autor)
,
ESTEVE, J. (autor)
,
POSTOLACHE, C. (autor)
,
BERCU, M. (autor)
|
Oxygen related transport phenomena nearv the polysilicon/SO2 interface on silicon diring phosphorus diffusion |
|
593-601 |
|
|
articol de periodic |
1976 |
Studii și Cercetări de Fizică, 28-4 |
SACHELARIE, D. (autor)
,
POSTOLACHE, C. (autor)
,
GĂISEANU, F. (autor)
|
Canale de difuziune la tranzistoarele PNP de comutație |
|
327-438 |
|
|
articol de periodic |
1984 |
Studii și Cercetări de Fizică, 36-2 |
GĂISEANU, F. (autor)
|
Difuzia dintr-o szrsă continuă într-un mediu seminfinit cu coeficient de difuziune dependent de concentrație |
|
155-162 |
|