Analysis of the behaviour of silicon in intense pion fields and predictions for GaAs Vezi publicația: Romanian Journal of Physics Anul publicaţiei: 1998Referinţă bibliografică pentru nr. revistă: 43-5-6; anul 1998 Paginaţia: 449-458 Navigare în nr. revistă: |< < 12 / 15 > >| Realizatori:  LAZANU, Ionel (autor), LAZANU, S. (autor) Descriptori:  as, fizică, Ga